AI 芯片
韩国的 AI 晶圆厂需要酸，Korea Zinc 刚新增 4 万吨
Onsan 的两条新生产线将半导体级硫酸产能从每年 28 万吨提升至 32 万吨。单一冶炼厂供应韩国逾 60% 的需求，其产量有 95% 流向韩国芯片制造商。
2天前
#HBM
AI 芯片
Samsung 的 HBM5 和 zHBM 数字是 2028 年目标，而非硅片产品
在台北峰会上，Samsung 公布了一份名为 CUBE 的 3D 存储路线图。文中提到的每一个倍数，都是以尚未出货的 HBM4E 为基准的目标。
3天前
AI 芯片
SK hynix 对 Intel 基础裸片传闻的否认就写在报道里
《Herald Business》报道称，SK hynix 正在考虑让 Intel 承接 HBM4E 基础裸片生产。可在正文第八段，SK hynix 又表示并无此类审查。
4天前
AI 芯片
Samsung 和 SK hynix 的税负激增只是分期款，不是纪录
这两家芯片制造商上半年合计缴税 11.21 万亿韩元，增长 167%——这是一笔 8 月的预缴款，仍只是历史第二高的上半年税额。
5天前
AI 芯片
SK hynix 的 40 亿美元“美国制造 HBM”工厂只处理韩国晶圆
通稿说得很明白：在韩国生产的前沿晶圆将运往印第安纳州进行先进封装和测试。洁净室将于 2028 年 10 月启用，2029 年下半年开始量产，工厂自身员工规模约为 1,000 人。
2026年8月28日
Nvidia
英伟达的定制 HBM 只是控制器，芯片基底由别人制造
NVHBM 将 Nvidia 的内存控制器从处理器中移入 HBM 堆栈。标题中提到的每一个百分比，都是以尚未出货的 HBM4E 为基准。
2026年8月27日
AI 芯片
SK hynix 的“基于光的 AI 存储路线图”其实是一篇刊登于 Nature Electronics 的综述论文
没有节点工艺、没有容量、没有发布日期，也没有合作伙伴芯片。被当作规格引用的这些数字，其实是行业尚未实现的目标。
2026年8月20日
AI 芯片
SK Hynix 的 3.3% 回购：40T 韩元上限变下限
一项 40 万亿韩元的回购并注销计划，以及一项股东回报政策从“自由现金流的 50% 以内”改写为“50% 以上”。
2026年8月19日
AI 芯片
TSMC 的五颗芯片大小封装良率达 98%
一位公司副总裁表示，5.5-reticle CoWoS 良率已超过 98%，峰值接近 99%，并规划了 2028 年的 14-reticle 封装。存储和基板是其所述瓶颈。
2026年8月12日
AI 芯片
三星把HBM推上前台，但8X数字仍属概念
在 8 月 5 日圣克拉拉举行的 FMS 2026 上，Samsung 展示了已进入量产、层数超过 400 层的 V10 BV-NAND，以及两种 3D 存储架构——zHBM 和 zNAND-O——但后两者并非量产产品。
2026年8月6日
AI 芯片
SK海力士与SanDisk发布首个高带宽闪存标准
该规范定义了一种位于 AI 加速器中 HBM 与 SSD 之间的 NAND 层级，容量可达 512GB、带宽最高 3TB/s。它通过 Open Compute Project 与 Google、Tenstorrent 一同发布——这是一份文档，不是产品。
2026年8月4日
AI 芯片
三星的存储芯片热潮把自家手机业务推入亏损
营业利润暴增逾18倍至89.5万亿韩元，其中半导体部门贡献了89.2万亿韩元。Galaxy移动业务则录得历史上首次营业亏损，受到同事部门向其收取的零部件价格挤压。
2026年7月30日
AI 芯片
Samsung 和 SK Hynix 推进新 CXL 内存层，以应对 AI 推理超越 HBM
韩国两大存储巨头正在推动 Compute Express Link 模块商业化。这一位于 DRAM 与存储之间的层级，旨在让大模型以接近 DRAM 的速度贴近 GPU，并提升推理吞吐量。
2026年7月20日
AI 芯片
SK Hynix因HBM前景疲弱下挫约15%，存储芯片股遭抛售
一家券商警告称，受高带宽存储器出货放缓影响，SK Hynix季度利润将不及预期，AI存储交易因此蒸发数十亿美元，并拖累 Micron、SanDisk 和 Western Digital 走低。
2026年7月14日
AI 芯片
SK Hynix 通过美国上市募资265亿美元，创外国公司赴美上市纪录
这家为全球一半以上高带宽存储器供货的存储芯片制造商，将1.779亿份 ADR 定价为每股149美元，认购倍数超过7倍，募资规模超越 Alibaba 2014年的纪录。
2026年7月10日
