Samsung 在圣克拉拉举行的 FMS 2026 上于 8 月 5 日展示了它希望 AI 存储在三维空间中呈现的样子。现场宣布了三项内容，其中只有一项是产品。

已出货的部分

V10 BV-NAND 突破 400 层，这是业内首创，采用晶圆键合和三层堆叠结构。与 V9 代相比，密度提升 58%，读写和 I/O 速度也更好。Samsung 表示该产品已进入量产，并已供应给 Nvidia。SK hynix 竞争产品、375 层企业级 SSD 预计将于 2027 年初进入生产。

概念产品

zHBM 将 HBM 从加速器旁边移到其 正上方，并允许在存储与逻辑之间加入定制 IP，以支持面向特定应用的设计。最吸引眼球的说法——性能最高可达 HBM5 的 8 倍——对应的是一个概念模型，而不是任何人都能买到的硅片。zNAND-O 面向 PC、手机、机器人和服务器上的端侧 AI，结合了接近 DRAM 的速度和接近 NAND 的容量。两者都没有给出量产时间。

为什么要堆叠

并排放置的 HBM 会在逻辑与存储之间的中介层布线中消耗功耗并增加延迟。堆叠能够缩短路径。但它也会把热量集中到最糟糕的位置——直接压在最热的芯片上方——这正是迄今没有人将这种方案量产的工程原因。

如何正确解读这项宣布

HBM5 本身尚未进入批量生产。一个以尚未出货的代际产品为基数、由概念模型给出的倍数，只能算路线图上的位置。400 层 NAND 才是新闻；8 倍只是宣传点。