AI 芯片
Samsung 将 HBM 放到加速器上方。八倍数字属于概念模型。
在 8 月 5 日圣克拉拉举行的 FMS 2026 上,Samsung 展示了已进入量产、层数超过 400 层的 V10 BV-NAND,以及两种 3D 存储架构——zHBM 和 zNAND-O——但后两者并非量产产品。
4小时前

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在 8 月 5 日圣克拉拉举行的 FMS 2026 上,Samsung 展示了已进入量产、层数超过 400 层的 V10 BV-NAND,以及两种 3D 存储架构——zHBM 和 zNAND-O——但后两者并非量产产品。
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