Чипы ИИ
Samsung поместила HBM поверх ускорителя. Восьмикратный показатель относится к концепт-модели.
На FMS 2026 в Санта-Кларе 5 августа Samsung показала V10 BV-NAND с более чем 400 слоями, уже запущенный в массовое производство, а также две 3D-архитектуры памяти — zHBM и zNAND-O — которые пока не выпускаются.
4 ч назад
