Samsung использовала FMS 2026 в Санта-Кларе 5 августа, чтобы показать, какой она видит память для ИИ в трех измерениях. Было объявлено о трех вещах, и только одна из них — продукт.
Поставляемый продукт
V10 BV-NAND преодолевает планку в 400 слоев, что стало отраслевым первенством, и построен с использованием wafer bonding и 3-stack-структуры. Плотность выросла на 58% по сравнению с поколением V9, а скорость чтения/записи и I/O — выше. Samsung заявляет, что продукт находится в массовом производстве и поставляется Nvidia. Конкурирующий корпоративный SSD SK hynix на 375 слоев должен выйти в производство в начале 2027 года.
Концепты
zHBM переносит HBM из положения рядом с ускорителем непосредственно над ним и позволяет использовать пользовательский IP между памятью и логикой для прикладных решений. Заголовочное заявление — до восьми раз выше производительность, чем у HBM5 — относится к концепт-модели, а не к кремнию, который можно купить. zNAND-O нацелен на ИИ на устройстве в ПК, смартфонах, роботах и серверах, сочетая скорость уровня DRAM с емкостью уровня NAND. Ни для одного из них не назван срок запуска в производство.
Зачем вообще делать стек
При размещении HBM рядом с логикой тратятся энергия и задержка на проводниках интерпозера между логикой и памятью. Стековое размещение сокращает путь. Но оно же концентрирует тепло в худшем из возможных мест — прямо над самым горячим кристаллом, и именно поэтому инженерно никто пока не выпускает такую схему.
Как правильно читать анонс
HBM5 сам по себе пока не в массовом производстве. Показатель, выраженный как кратность поколения, которое еще не поставляется, да еще и в концепт-модели, — это позиция на дорожной карте. Новостью является 400-слойный NAND; 8x — это маркетинговый тезис.