Samsung utilizó FMS 2026 en Santa Clara el 5 de agosto para mostrar cómo quiere que sea la memoria para IA en tres dimensiones. Se anunciaron tres cosas, y solo una de ellas es un producto.
La parte que ya se comercializa
V10 BV-NAND supera las 400 capas, una primicia del sector, fabricado con bonding de obleas y una estructura de 3 pilas. La densidad aumenta un 58% respecto a la generación V9, con mejor velocidad de lectura/escritura y de E/S. Samsung dice que está en producción en masa y que se suministra a Nvidia. El SSD empresarial de 375 capas de la competencia, de SK hynix, está previsto para entrar en producción a principios de 2027.
Los conceptos
zHBM coloca la HBM no al lado del acelerador, sino directamente encima, y permite IP personalizada entre la memoria y la lógica para diseños específicos de cada aplicación. La afirmación principal —hasta ocho veces el rendimiento de HBM5— corresponde a un modelo conceptual, no a un silicio que alguien pueda comprar. zNAND-O apunta a la IA en el dispositivo en PC, teléfonos, robots y servidores, combinando velocidad similar a la de la DRAM con capacidad propia de NAND. Ninguno de los dos tiene fecha de producción.
Por qué apilarlo
La HBM colocada en paralelo quema energía y latencia en las conexiones del interposer entre la lógica y la memoria. La apilación acorta el recorrido. También concentra el calor en el peor lugar posible —justo encima del chip más caliente—, que es la razón de ingeniería por la que nadie lo comercializa todavía.
Cómo leer bien el anuncio
La propia HBM5 todavía no está en producción en volumen. Una cifra expresada como múltiplo de una generación que aún no se ha comercializado, procedente de un modelo conceptual, es una posición en la hoja de ruta. La NAND de 400 capas es la noticia; el 8x es el reclamo.