SK hynix y SanDisk publicaron el 4 de agosto la primera especificación de High Bandwidth Flash, a tiempo para la conferencia Future of Memory and Storage en Santa Clara. The Korea Herald lo difundió a las 05:27 UTC. HBF es una nueva clase de memoria situada entre la HBM basada en DRAM y el SSD, y cambia latencia por capacidad en cargas de trabajo de inferencia.
La especificación
La capacidad alcanza 512GB mediante apilados de chips NAND de 8 y 16 niveles. El ancho de banda se define en tres niveles que van aproximadamente de 0.4TB/s a 3.0TB/s, sobre una interconexión UCIe. El documento abarca interfaces de conexión, características eléctricas, orientación sobre fiabilidad, empaquetado de apilado de chips y E/S de software. Se difundió a través de Open Compute Project; el consorcio, lanzado en febrero de 2026, incluye a Google y Tenstorrent.
Un documento, no una pieza
No se puede comprar ni probar nada de esto. No hay ningún producto HBF, ningún cliente anunciado ni fecha de comercialización — SK hynix solo se compromete a prototipos con SanDisk y a una línea piloto en la segunda mitad de 2026. La cobertura secundaria que sitúa la producción en masa en 2027 ha tomado una cifra asociada a otro elemento del mismo anuncio: una NAND 4D de 375 capas con una ganancia declarada de 2.5× en rendimiento por vatio. Las estimaciones sobre la llegada comercial real de HBF van de 2027 a alrededor de 2030, según el medio que se consulte, lo que viene a decir que nadie lo sabe.
Quién participa
Google y Tenstorrent son participantes del consorcio, no compradores anunciados. El propio texto de SK hynix menciona a Google; algunas coberturas lo elevan a Google DeepMind, algo que el comunicado no dice.
Por qué flash
Dar servicio a grandes modelos está ahora limitado por la capacidad de memoria más que por el cómputo bruto, y HBM es la forma cara de añadirla. Kioxia defendió una tesis similar en la misma conferencia desde el lado del SSD.