SK hynix et SanDisk ont publié la première spécification du High Bandwidth Flash le 4 août, à l’occasion de la conférence Future of Memory and Storage à Santa Clara. The Korea Herald l’a signalé à 05:27 UTC. HBF est une nouvelle classe de mémoire positionnée entre la HBM fondée sur la DRAM et le SSD, en échangeant de la latence contre de la capacité pour les charges d’inférence.
La spécification
La capacité atteint 512 Go grâce à des empilements de puces NAND de 8 et 16 couches. La bande passante est définie en trois niveaux, allant d’environ 0,4 To/s à 3,0 To/s, via une interconnexion UCIe. Le document couvre les interfaces de connexion, les caractéristiques électriques, les recommandations de fiabilité, le conditionnement des empilements de puces et les E/S logicielles. Il a été diffusé par l’Open Compute Project ; ce consortium, lancé en février 2026, compte Google et Tenstorrent parmi ses membres.
Un document, pas une puce
Rien ici ne peut être acheté ou échantillonné. Il n’existe ni produit HBF, ni client annoncé, ni date de commercialisation — SK hynix n’évoque que des prototypes chez SanDisk et une ligne pilote au second semestre 2026. Les reprises qui situent la production de masse en 2027 ont repris un chiffre associé à un autre élément de la même annonce : une NAND 4D à 375 couches, présentée avec un gain annoncé de 2,5× en performance par watt. Les estimations sur l’arrivée commerciale réelle de HBF vont de 2027 à environ 2030 selon les médias, autrement dit personne n’en sait rien.
Qui est impliqué
Google et Tenstorrent sont des participants au consortium, pas des acheteurs annoncés. Le texte de SK hynix cite Google ; certaines reprises y ajoutent Google DeepMind, ce que le communiqué ne mentionne pas.
Pourquoi la flash
Le service des grands modèles est désormais limité par la capacité mémoire plutôt que par le calcul brut, et la HBM est la solution coûteuse pour l’augmenter. Kioxia a défendu une thèse similaire lors de la même conférence, depuis le côté SSD.