SK hynix 和 SanDisk 于 8月4日 发布了首个 High Bandwidth Flash 规范，发布时间与圣克拉拉举办的 Future of Memory and Storage 会议相吻合。The Korea Herald 在 UTC 05:27 报道了这一消息。HBF 是一种新的存储类别，定位介于基于 DRAM 的 HBM 和 SSD 之间，在推理工作负载中以延迟换取容量。

该规范

容量通过 8 层和 16 层 NAND die 堆叠可达 512GB。带宽分为三档，约从 0.4TB/s 到 3.0TB/s，通过 UCIe 互连实现。该文档涵盖连接接口、电气特性、可靠性指南、die 堆叠封装以及软件 I/O。它通过 Open Compute Project 发布；该联盟于 2026年2月 启动，成员包括 Google 和 Tenstorrent。

是一份文档，不是部件

这里没有任何可购买或可试用的东西。没有 HBF 产品，没有公布客户，也没有商业化日期——SK hynix 只承诺向 SanDisk 提供原型，并在 2026 年下半年建设试产线。将量产时间指向 2027 年的二手报道，实际上引用的是同一公告中另一项内容的数字：一种 375 层 4D NAND，宣称每瓦性能提升 2.5×。对于 HBF 的实际商用时间，不同媒体给出的估计从 2027 年到大约 2030 年不等，这也就是说，没有人知道。

参与方

Google 和 Tenstorrent 是联盟参与者，并非已公布的买家。SK hynix 自己的文本提到的是 Google；一些报道将其进一步写成 Google DeepMind，但发布内容并未这样说。

为什么是闪存

如今，运行大模型受限于存储容量而非原始算力，而 HBM 是增加容量的高成本方式。Kioxia 在同一场会议上从 SSD 侧提出了类似观点。