SK hynix и SanDisk 4 августа представили первую спецификацию High Bandwidth Flash, приурочив ее к конференции Future of Memory and Storage в Санта-Кларе. Об этом в 05:27 UTC сообщила The Korea Herald. HBF — это новый класс памяти, расположенный между DRAM-ориентированной HBM и SSD: он жертвует задержкой ради емкости в задачах инференса.
Спецификация
Емкость достигает 512 ГБ за счет стеков NAND-кристаллов высотой 8 и 16 уровней. Пропускная способность определена в трех классах — примерно от 0,4 ТБ/с до 3,0 ТБ/с — по интерфейсу UCIe. Документ охватывает интерфейсы подключения, электрические характеристики, требования по надежности, упаковку стеков кристаллов и программный ввод-вывод. Он был опубликован через Open Compute Project; в консорциум, запущенный в феврале 2026 года, входят Google и Tenstorrent.
Документ, а не компонент
Пока это нельзя ни купить, ни получить в виде образца. HBF-продукта нет, клиента не объявляли и сроков коммерциализации тоже нет — SK hynix говорит лишь о прототипах с SanDisk и пилотной линии во второй половине 2026 года. В ряде публикаций фигурирует начало массового производства в 2027 году, но эта цифра относится к другому изделию из того же анонса: 4D NAND с 375 слоями и заявленным ростом производительности на ватт в 2,5×. Оценки реального выхода HBF на рынок разнятся от 2027 года до примерно 2030-го в зависимости от издания, что по сути означает: никто не знает.
Кто участвует
Google и Tenstorrent — участники консорциума, а не объявленные покупатели. В собственном тексте SK hynix упоминает Google; некоторые публикации расширяют это до Google DeepMind, но в релизе этого нет.
Зачем flash
Обслуживание крупных моделей сейчас упирается не столько в вычислительную мощность, сколько в объем памяти, а HBM — дорогой способ добавить его. На той же конференции Kioxia предложила похожую идею со стороны SSD.