Samsung은 FMS 2026을 통해 8월 5일 산타클라라에서 AI 메모리가 3차원에서 어떻게 구현되기를 원하는지 보여줬습니다. 발표된 것은 세 가지였고, 그중 실제 제품은 하나뿐이었습니다.

출시된 제품

V10 BV-NAND는 웨이퍼 본딩과 3단 적층 구조를 통해 업계 최초로 400개 층을 넘어섰습니다. 밀도는 V9 세대보다 58% 높아졌고, 읽기·쓰기 및 I/O 속도도 개선됐습니다. Samsung은 이 제품이 양산 중이며 Nvidia에 공급하고 있다고 밝혔습니다. 경쟁사인 SK hynix의 375개 층 엔터프라이즈 SSD는 2027년 초 생산에 들어갈 예정입니다.

개념 모델들

zHBM은 HBM을 가속기 옆이 아니라 바로 위에 쌓고, 메모리와 로직 사이에 맞춤형 IP를 허용해 응용 특화 설계를 가능하게 합니다. 헤드라인에 내세운 최대 8배의 HBM5 성능이라는 주장은 누구나 살 수 있는 실리콘이 아니라 개념 모델에 붙어 있습니다. zNAND-O는 PC, 스마트폰, 로봇, 서버에서 온디바이스 AI를 겨냥하며, DRAM 수준의 속도와 NAND 수준의 용량을 결합하는 것을 목표로 합니다. 두 기술 모두 생산 시점은 제시되지 않았습니다.

왜 굳이 적층하는가

병렬 배치된 HBM은 로직과 메모리 사이의 인터포저 배선에서 전력과 지연을 소모합니다. 적층은 이 경로를 줄입니다. 하지만 동시에 가장 뜨거운 다이 바로 위에 열을 집중시키는 구조이기도 해, 아직 아무도 이를 양산하지 않는 공학적 이유가 여기에 있습니다.

발표를 올바르게 읽는 법

HBM5 자체는 아직 대량 생산 단계가 아닙니다. 출하되지 않은 세대를 기준으로 한 배수 수치가 개념 모델에서 제시됐다면, 그것은 로드맵상 위치를 뜻합니다. 400개 층 NAND가 뉴스이고, 8배는 제안입니다.