SK hynix 于当地时间 8 月 27 日在西拉法叶的普渡大学为其印第安纳先进封装工厂举行奠基仪式，通稿于 UTC 时间 16:01 发出。公司表示，正在“在印第安纳州投资超过 40 亿美元 建设 fab，并将于 2029 年下半年在美国启动首个‘美国制造’下一代 HBM 量产”。该址占地约 133 英亩，约合 47 万平方米。

定义该项目的一句话

通稿称：“SK hynix 在韩国生产的前沿晶圆将被运往印第安纳州，在那里它们将接受 先进封装和测试，随后再向美国客户供应美国制造产品。”这就是整个架构。DRAM 本身仍在韩国生产。印第安纳州负责堆叠、封装和测试——并在与普渡大学的谅解备忘录下，于产线旁建设一个先进封装研发试验平台。

时间表

洁净室将于 2028 年 10 月前启用。下一代 HBM 将于 2029 年下半年开始量产。The Elec 的独立窗口期报道进一步明确了两个节点：首款产品将是 2029 年第三季度的 HBM4E——第七代，比当前出货产品再往前两代——主要设施将于 10 月开工建设，预计年产能将达到“数十万件”。

常见表述错在何处

外界会把这件事报道成美国拥有了一座本土 HBM 芯片工厂。这里有三点需要纠正。它是封装厂，不是制造厂——这里的“美国制造 HBM”指的是在美国完成封装，而每一片 DRAM 芯粒都先跨越太平洋而来。三年内不会有任何产品产出：这是一场奠基，而不是产能落地，完全不会缓解当下的 HBM 紧缺。还有，就业数字有两层含义——“7,000 个直接/间接本地就业岗位”涵盖 100 多家合作伙伴，而同一通稿中工厂自身在预期商业运营期间的员工数量为“约 1,000 人”。

这并非纯粹的私人资金

出席仪式的参议员 Todd Young 表示：“我很自豪能够通过《CHIPS 与科学法案》帮助促成这项投资。”The Elec 报道称，美国商务部已为该项目敲定 4.58 亿美元联邦拨款。这条 40 亿美元的 headline 是包含补贴在内的总额，而不是纯粹的企业资本开支数字。