Falando em um Memory Executive Summit em Taipei, antes da SEMICON Taiwan, o chefe de planejamento de produtos de memória da Samsung, Choi Jang-seok, apresentou um roteiro de memória 3D que a empresa chama de CUBE — capacity, utilisation, bandwidth, efficiency. Os números principais são grandes. Nenhum deles descreve um produto que você possa comprar.

O roteiro, como foi apresentado

HBM5: o dobro do desempenho do HBM4E, +20% de desempenho por watt, −20% de resistência térmica. zHBM: 8x o desempenho do HBM4E, 3x por watt e uma alegada redução de 75–90% na resistência térmica, obtida ao empilhar a memória diretamente sobre o die de lógica, em vez de ao lado dele. zNAND-O: quatro ou oito dies V-NAND por meio de TSV, 10x a densidade de bits da DRAM e 7x a largura de banda de leitura do NAND convencional, com amostras a partir de 2028.

O que a formulação erra

Já circulam dois erros. O primeiro é de tempo verbal: isso são metas. A produção em massa de HBM5 está prevista para cerca de 2028, e o zHBM depois de 2029; "Samsung lança HBM5" é falso. O segundo é a base de comparação. Todos os multiplicadores são apresentados em relação ao HBM4E — um componente que, por sua vez, também não está em produção em volume. "Oito vezes mais rápido do que a memória de hoje" não foi o que se disse, porque a memória de hoje é a HBM3E e a HBM4.

O que a estratégia realmente afirma

A linha de Choi — de que a Samsung "não será mais limitada pela área da placa de circuito impresso" — é o cerne. Empilhar memória sobre a lógica é um argumento de encapsulamento e geometria, não de computação na memória: o processamento não vai para dentro da DRAM. Ainda assim, isso coloca a Samsung em competição direta pelo die base, a camada que a SK hynix está customizando e a TSMC está encapsulando.

Contexto que vale manter

O Korea Herald observa que a DRAM respondeu por 39% da receita trimestral da Samsung e a NAND por 29,3%. É esse o negócio que esse roteiro procura defender. Alguns detalhes amplamente repetidos — um die base de 2nm contra 4nm para HBM4/HBM4E, pilhas de 12, 16 e 20 camadas — vêm da TrendForce, e não dos relatos coreanos da apresentação, e devem ser atribuídos a essa fonte, em vez de incorporados às próprias alegações da Samsung.