Al intervenir en un Memory Executive Summit en Taipéi, antes de SEMICON Taiwan, el responsable de planificación de productos de memoria de Samsung, Choi Jang-seok, expuso una hoja de ruta de memoria 3D que la compañía denomina CUBE — capacidad, utilización, ancho de banda, eficiencia. Las cifras principales son elevadas. Ninguna describe un producto que pueda comprarse.

La hoja de ruta, tal y como se presentó

HBM5: el doble de rendimiento que HBM4E, +20% de rendimiento por vatio, −20% de resistencia térmica. zHBM: 8x el rendimiento de HBM4E, 3x por vatio y una reducción declarada del 75–90% en la resistencia térmica, lograda al apilar la memoria directamente sobre el dado lógico en lugar de junto a él. zNAND-O: cuatro u ocho dados V-NAND mediante TSV, 10x la densidad de bits de DRAM y 7x el ancho de banda de lectura de la NAND convencional, con muestras a partir de 2028.

En qué falla el encuadre

Ya circulan dos errores. El primero es el tiempo verbal: se trata de objetivos. La producción en masa de HBM5 se sitúa en torno a 2028 y zHBM después de 2029; «Samsung lanza HBM5» es falso. El segundo es la referencia de partida. Cada multiplicador se plantea frente a HBM4E, un componente que tampoco está en producción en volumen. Por tanto, «ocho veces más rápido que la memoria actual» no fue lo que se dijo, porque la memoria actual es HBM3E y HBM4.

Lo que realmente sostiene la estrategia

La tesis de Choi —que Samsung «ya no estará limitada por el área de la placa de circuito impreso»— es el fondo del asunto. Apilar memoria sobre lógica es un argumento de encapsulado y geometría, no de procesamiento en memoria: el cálculo no se traslada a la DRAM. Eso sí, coloca a Samsung en competencia directa por el dado base, la capa que SK hynix está personalizando y que TSMC está encapsulando.

Contexto que conviene conservar

Korea Herald señala que la DRAM representó el 39% de los ingresos trimestrales de Samsung en el segundo trimestre y la NAND el 29,3%. Ese es el negocio que esta hoja de ruta defiende. Algunos detalles muy repetidos —un dado base de 2 nm frente a 4 nm para HBM4/HBM4E, pilas de 12, 16 y 20 capas— proceden de TrendForce y no de los informes coreanos de la ponencia, por lo que deben atribuirse en consecuencia en lugar de incorporarse a las propias afirmaciones de Samsung.