ASML High-NA EUV 光刻系统的首批主要组件于 7 月 21 日运抵纽约的 Albany NanoTech Complex——具体来说，是构成主机底座的 底部主模块。其余部分将在未来数周陆续发运；目前尚未完成安装，也未投入运行。

这项说法的实际含义

这并不是美国第一台 High-NA EUV 设备。Intel 于 2023 年底在 俄勒冈州希尔斯伯勒接收了一台 ASML TWINSCAN EXE:5000，并于 2024 年 4 月完成组装，随后在 2026 年 7 月 15 日左右开始用于 High-NA 生产。奥尔巴尼的不同之处在于：这里是 北美首个公共持有、开放可用的 High-NA 研究场地。

背后的资金

这些设备单价约为 4 亿美元。奥尔巴尼项目由 10 亿美元的纽约州投资提供支持，并撬动了 90 亿美元的行业资金——这项总额 100 亿美元的合作伙伴关系成员包括 IBM、Micron 和 Tokyo Electron。设备正在安装于新建的 NanoFab Reflection 大楼内，该楼已于 2025 年 12 月封顶。

用于研究，而非生产

奥尔巴尼不会生产商用芯片。NY CREATES 负责开展共享研发，研究如何将 High-NA 融入制造流程——包括工艺配方、缺陷率、良率等，这些工作决定该技术能否在规模化应用中可行。人们最常拿来比较的是比利时的 imec。NY CREATES 首席执行官 Dave Anderson 称此次到货“具有变革性”，并表示这里“可以说处在下一代技术发展的中心地带”。

接下来要关注什么

真正重要的里程碑是 “first light”——即 EUV 光源首次开启的时刻——目标是在 2026 年底之前实现，而不是全面投产。