Durante la giornata di tutorial di Hot Chips 38 il 23 agosto, Samsung ha illustrato come stia cambiando il base die sotto una pila di memoria ad alta larghezza di banda. Per HBM4 l'azienda sta applicando il processo DRAM D1c insieme a un nodo logico a 4 nm — un processo logico di classe foundry, usato per lo strato che storicamente era considerato mera infrastruttura.

Che cosa viene effettivamente comunicato

Il base die si trova alla base della pila e gestisce l'interfaccia tra la memoria sopra di esso e il processore accanto. Portarlo a un processo logico a 4 nm significa che può svolgere vera logica — più della decodifica degli indirizzi e dell'I/O. La roadmap di Samsung prosegue fino a HBM5, che ha collocato oltre i 60GB per pila e a 6 TB/s di larghezza di banda.

Il dato che vincola la roadmap

Il numero da tenere a mente non è la capacità né la larghezza di banda. È la densità di potenza nel base die, che Samsung ha mostrato salire da 0.5 W/mm2 a oltre 2.0 W/mm2 tra sHBM4E e sHBM5 — circa quattro volte, nello strato sepolto in fondo a una pila di DRAM, dove la DRAM è il componente meno tollerante al calore. Tutto il resto della roadmap dipende dalla possibilità di smaltire quel calore.

Ciò che il quadro comune fraintende

Due cose. Primo, una roadmap presentata in una sessione tutorial non è un annuncio di prodotto: qui HBM5 non ha una data di lancio, non ha un cliente e non ha un prezzo, e una slide che descrive un obiettivo non equivale a un componente in spedizione. Secondo, un insieme di cifre ampiamente circolate attribuite a Samsung in questa conferenza — le affermazioni su zHBM del 70% e del 230% — non proviene da questa disclosure. Quei numeri derivano da articoli di aggregazione, non compaiono nella trascrizione della sessione, e zHBM è stato presentato intorno al 5 agosto, settimane prima di Hot Chips. Il materiale su base die e HBM5 è la parte nuova.

Perché il base die è il punto in cui si è spostata la sfida

I produttori di memoria hanno trascorso un decennio a competere sull'altezza della pila e sulla larghezza di banda. Mettere un processo logico alla base della pila trasforma il base die in un punto in cui si può aggiungere architettura invece di limitarsi ad attraversarla — ed è per questo che tutti e tre i principali fornitori di HBM hanno dedicato i loro slot tutorial a questo tema, e che il dato termico è quello che decide fin dove ci si può spingere.