Le rendement de la HBM4 de Samsung Electronics a atteint environ 80 %, contre moins de 60 % au lancement de la production de masse vers février 2026, selon une évaluation sectorielle publiée le 10 août. Quatre-vingts pour cent correspond au niveau que les fabricants de mémoire qualifient de golden yield — le point où une ligne cesse de perdre de l’argent à cause des rebuts.
Pourquoi le rendement décide de cette course
Les empilements HBM4 constituent la contrainte des accélérateurs de nouvelle génération, et les annonces de capacité ne font pas, à elles seules, évoluer les parts de marché : une usine qui tourne avec un rendement de 60 % expédie bien moins que ne le laissent supposer ses démarrages de wafers. Il est par ailleurs rapporté séparément que Samsung fonctionne au-dessus de 70 % lors des tests de fiabilité HBM4E.
L’argument commercial qui y est associé
Samsung viserait un chiffre d’affaires HBM au troisième trimestre plus de trois fois supérieur à celui du deuxième trimestre, et chercherait à porter sa part du HBM à environ sa part du DRAM, soit quelque 38 %, d’ici la fin de 2026. Cela comblerait une large partie de l’écart avec SK hynix, le leader en place.
L’attribution est ici essentielle
Samsung n’a pas confirmé publiquement le chiffre de 80 %. Le reportage emploie un langage d’évaluation, et il doit être lu comme une estimation sectorielle plutôt que comme une communication officielle. L’affirmation complémentaire désormais relayée comme un fait — selon laquelle Samsung dépasserait SK hynix en 2027 — est une projection de UBS, pas un résultat. Aucune qualification client par Nvidia, AMD ou Broadcom n’est confirmée dans ce reportage.
Ce n’est pas la partie conceptuelle
Il s’agit de livraisons HBM4, à distinguer du concept zHBM de Samsung, également rendu public séparément, qui se situe après la HBM5 sur la feuille de route et ne dispose d’aucun calendrier de production.