2026년 8월 30일2026년 8월 30일 일요일ENEnglishESEspañolPTPortuguêsRUРусскийITItalianoFRFrançaisARالعربيةZH中文KO한국어데일리 AI 브리핑

인공지능을 전문적으로 다룹니다

색인OpenAI/Google/Anthropic/Meta/Nvidia/Microsoft/Apple/Mistral/EU AI Act

#Hot Chips

Samsung의 인메모리 AI 컴퓨팅은 CPU의 캐시를 꺼야 한다

Hot Chips에서 제시된 8배 대역폭 수치는 패키지 내부에서 측정된 것이다. 이를 활용하려면 호스트 프로세서의 캐시, 프리페치, 아웃오브오더 실행을 포기해야 한다.

1일 전

“Progression of Samsung PIM Technology”라고 적힌 Samsung 발표 슬라이드로, 2021년 HBM-PIM 개념증명에서 2026년 LPDDR5X-PIM 제품화까지를 보여준다

d-Matrix, HBM4 대역폭 밀도 20배 주장… 일정은 미공개

Micron이 직전 세션에서 설명한 벽을 정면으로 겨냥한 대안 아키텍처입니다.

6일 전

Raptor 3D-DRAM이 적힌 d-Matrix 슬라이드로, 기판 위에서 로직 다이와 DRAM이 마주 보는 모습과 HBM4와 3D-DRAM의 I/O 에너지, 대역폭, 용량을 비교한 표가 보입니다.

SK하이닉스 HBM4: 양산은 12-High, 16-High는 검증 중

출하 품목과 샘플을 가르는 것은 한 단어이며, 인텔에 유리한 것으로 읽힌 패키징 슬라이드는 비교표일 뿐입니다.

6일 전

High Bandwidth Memory and Advanced Packaging라는 제목의 SK hynix 슬라이드로, 1,024 I/O와 16개 채널을 가진 프로세서 옆에 실리콘 인터포저 위에 적층된 HBM을 보여줍니다.

삼성 HBM4 베이스 다이: 4nm 로직, 전력 밀도 4배

메모리 스택의 맨 아래층이 로직 칩으로 변하고 있으며, 그 열은 위층보다 더 빠르게 올라가고 있습니다.

6일 전

Samsung 프레젠테이션 슬라이드로, High Bandwidth Memory 제목 아래 HBM 스택의 core die와 base die 역할, 그리고 computing die로 향하는 TSV 구성을 도식화한 이미지입니다.