#Hot Chips

تحتاج حوسبة الذكاء الاصطناعي داخل الذاكرة من Samsung إلى إيقاف ذاكرات التخزين المؤقت للـ CPU

تُقاس قيمة عرض النطاق البالغة ثمانية أضعاف من Hot Chips داخل الحزمة. واستخدامها يكلّف المعالج المضيف ذاكرته المؤقتة، والـ prefetch، والتنفيذ خارج الترتيب.

قبل 1 ي

شريحة عرض من Samsung بعنوان “Progression of Samsung PIM Technology”، تُظهر إثبات المفهوم HBM-PIM في 2021 وصولًا إلى تصنيع LPDDR5X-PIM في 2026

رقائق الذكاء الاصطناعي

d-Matrix تزعم كثافة نطاق 20x لـ HBM4، بلا موعد

معمارية منافِسة تستهدف مباشرةً الجدار الذي وصفته Micron في الجلسة السابقة.

قبل 6 ي

شريحة من d-Matrix بعنوان Raptor 3D-DRAM، تُظهر شرائح منطقية متقابلة مع DRAM فوق substrate وجدولًا يقارن HBM4 مع 3D-DRAM في طاقة I/O والنطاق الترددي والسعة.

رقائق الذكاء الاصطناعي

HBM4 من SK Hynix: 12-High في الإنتاج، و16-High في التأهيل

كلمة واحدة تفصل بين قطعة قابلة للشحن وعينة، والشرائح في العرض التقديمي التي فُسرت على أنها فوز لـ Intel ليست سوى جدول مقارنة.

قبل 6 ي

شريحة من SK hynix بعنوان High Bandwidth Memory and Advanced Packaging، تُظهر HBM مكدسًا على silicon interposer بجانب معالج مع 1,024 IOs عبر 16 قناة.

رقائق الذكاء الاصطناعي

قاعدة HBM4 من سامسونغ: منطق 4nm، وكثافة طاقة مضاعفة 4 مرات

الطبقة في أسفل طبقة الذاكرة تتحول إلى شريحة منطقية، وهي تسخن أسرع من الطبقات التي تعلوها.

قبل 6 ي

شريحة عرض من Samsung بعنوان High Bandwidth Memory، تُظهر أدوار core die وbase die في حزمة HBM مع وصلات TSV إلى شريحة حوسبة.